- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
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NTJD1155LT1G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:NTJD1155LT1G
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):8V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1.3A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
- 功率-最大值:400mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- NTJD1155LT1G优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。