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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-WDFN
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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NTLJD3115PT1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NTLJD3115PT1G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 P 沟道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.3A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：531pF @ 10V
- 功率-最大值：710mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-WDFN
- NTLJD3115PT1G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
