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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
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NTMD6N02R2G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NTMD6N02R2G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.92A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 6A，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 16V
- 功率-最大值：730mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- NTMD6N02R2G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
