产品参考图片
- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
- 丰富的安森美公司产品，安森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
NTMFD024N06CT1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NTMFD024N06CT1G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 60V T6 8DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta），24A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：22.6 毫欧 @ 3A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.7nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：333pF @ 30V
- 功率-最大值：3.1W（Ta），28W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerTDFN
- NTMFD024N06CT1G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
