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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerWDFN
- 技术参数：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
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NTMFD1D4N02P1E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NTMFD1D4N02P1E
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 20A，10V，1.1 毫欧 @ 37A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA，2V @ 800μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 13V，3603pF @ 13V
- 功率-最大值：960mW（Ta），1W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerWDFN
- NTMFD1D4N02P1E优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
