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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
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NTMFD4C50NT1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NTMFD4C50NT1G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）
- NTMFD4C50NT1G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
