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- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerTDFN
- 技术参数:T6 60V LL S08FL DS
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NTMFD5C650NLT1G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:NTMFD5C650NLT1G
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:T6 60V LL S08FL DS
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):21A(Ta),111A(Tc)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 98μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):37nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2546pF @ 25V
- 功率-最大值:3.5W(Ta),125W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-PowerTDFN
- NTMFD5C650NLT1G优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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