- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
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NTMFS4C08NT1G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:NTMFS4C08NT1G
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),52A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.8 毫欧 @ 18A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):18.2nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1113pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):760mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
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