- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:SOT-563,SOT-666
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563
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NTZD5110NT1G 技术参数详情:
- 制造商产品型号:NTZD5110NT1G
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):294mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):24.5pF @ 20V
- 功率-最大值:250mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-563,SOT-666
- NTZD5110NT1G优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。