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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：单端场效应管，DPAK-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 90V 38A DPAK
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NVD6828NLT4G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NVD6828NLT4G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：MOSFET N-CH 90V 38A DPAK
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：90V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.7A（Ta），41A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2900pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装：DPAK-3
- NVD6828NLT4G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
