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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：模块
- 技术参数：IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
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NXH350N100H4Q2F2S1G 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NXH350N100H4Q2F2S1G
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 配置：三级反相器
- 电压-集射极击穿（最大值）：1000V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：303A
- 功率-最大值：276W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，375A
- 电流-集电极截止（最大值）：1mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：24.146nF @ 20V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
- NXH350N100H4Q2F2S1G优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
