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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
- 技术参数：IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
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NXH35C120L2C2ESG 技术参数详情：
- 制造商产品型号：NXH35C120L2C2ESG
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 配置：三相反相器，带制动器
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：35A
- 功率-最大值：20mW
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，35A
- 电流-集电极截止（最大值）：250μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：8.333nF @ 20V
- 输入：三相桥式整流器
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
- NXH35C120L2C2ESG优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
