- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-264-3,TO-264AA
- 技术参数:IGBT 900V 60A 180W TO264
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SGL60N90DG3YDTU 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SGL60N90DG3YDTU
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:IGBT 900V 60A 180W TO264
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- IGBT类型:沟道
- 电压-集射极击穿(最大值):900V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
- 电流-集电极脉冲(Icm):120A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,60A
- 功率-最大值:180W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:260nC
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间(trr):1.5μs
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-264-3,TO-264AA
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