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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 整包
- 技术参数：IGBT 600V 8A 35W TO220F
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SGS5N60RUFDTU 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SGS5N60RUFDTU
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：IGBT 600V 8A 35W TO220F
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：8A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：15A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，5A
- 功率-最大值：35W
- 开关能量：88μJ（开），107μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：16nC
- 25°C时Td（开/关）值：13ns/34ns
- 测试条件：300V，5A，40 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：55ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-220-3 整包
- SGS5N60RUFDTU优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
