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  • 制造厂商:安森美
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 技术参数:IGBT 600V 13A 60W D2PAK
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SGW13N60UFDTM 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:SGW13N60UFDTM
  • 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 600V 13A 60W D2PAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):13A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):52A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,6.5A
  • 功率-最大值:60W
  • 开关能量:85μJ(开),95μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:25nC
  • 25°C时Td(开/关)值:20ns/70ns
  • 测试条件:300V,6.5A,50 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):55ns
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • SGW13N60UFDTM优势代理货源,国内领先的安森美芯片采购服务平台。
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