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- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - JFET，封装：3-SMD，扁平引线
- 技术参数：JFET N-CH 1MA 100MW
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TF262TH-4-TL-H 技术参数详情：
- 制造商产品型号：TF262TH-4-TL-H
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：JFET N-CH 1MA 100MW
- 系列：晶体管 - JFET
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 电压-击穿(V(BR)GSS)：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss)：140μA @ 2V
- 漏极电流(Id)-最大值：1mA
- 不同Id时电压-截止(VGSoff)：200mV @ 1μA
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3.5pF @ 2V
- 电阻-RDS(On)：-
- 功率-最大值：100mW
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：3-SMD，扁平引线
- TF262TH-4-TL-H优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
